RAM

Memoria de acceso aleatorio: las lecturas son combinacionales (la salida siempre muestra la palabra en ADDR) y las escrituras son síncronas — en el flanco de subida de CLK con WE en HIGH, la palabra DIN se almacena en ADDR. RST limpia todas las celdas de forma asíncrona. La memoria siempre inicia en ceros; su contenido es estado de ejecución y no se guarda con el circuito.